芯塔电子申请改善雪崩能力的SiC JEFT器件及其制造方法专利，保证了雪崩的可靠性

金融界2025年3月29日消息，国家知识产权局信息显示，安徽芯塔电子科技有限公司申请一项名为“一种改善雪崩能力的SiC JEFT器件及其制造方法”的专利，公开号CN 119698046 A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种改善雪崩能力的SiC JEFT器件及其制造方法，通过在一个沟槽中同时设置源区和栅区，并且源区的第二类型掺杂区与栅区的第二类型掺杂区的深度不同，其中源区的第二类型掺杂区的结深比栅区的第二类型掺杂区的结深更深，使得在关断状态下最大电场处在源区的第二类型掺杂区的结边缘，从而雪崩电流通过源区的欧姆接触进入源极，而不会再经过栅极，保证了雪崩的可靠性。

天眼查资料显示，安徽芯塔电子科技有限公司，成立于2020年，位于芜湖市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本942.0896万人民币，实缴资本926.5127万人民币。通过天眼查大数据分析，安徽芯塔电子科技有限公司共对外投资了1家企业，财产线索方面有商标信息7条，专利信息40条，此外企业还拥有行政许可3个。

本文源自：金融界

作者：情报员